Новости

SK hynix рассказала о гипотетической памяти 300+ слоев 3D NAND

Памяти такой пока нет, но ее разработка в компании идет, рассказывает 3DNews. Зачем нужно столько слоев? Для увеличения плотности хранения информации - больше ГБ на кристалле или меньше его размеры, меньше стоимость хранения каждого бита, текущая цель - >20 Гбит/кв.мм. Важно, что при этом разработчики надеются поднять еще и пропускную способность: от 164 МБ/с до 194 МБ/с.

Достижение таких целей создает серьезные сложности, например, растет сопротивление линии (WL), соединяющей ячейки в строке матрицы. Для борьбы с этой и другими проблемами предложен целый ряд способов.

Компания не заявила даже ориентировочные даты, когда память 300+ окажется на рынке, но скорее всего, это произойдет в конце 2023 - начале 2024 года.

Интересно, как к этим планам корейской SK hynix относятся в китайской YMTC (Yangtze Memory Technologies)?